[发明专利]一种PNPN型ESD保护器件及ESD保护电路

摘要

本发明公开了一种PNPN型ESD保护器件和ESD保护电路，保护器件包括P型衬底，P型衬底内设有N型埋层，N型埋层上注有深N阱，深N阱内注有第一N+区、第一P+区、第二N+区和低压P阱，低压P阱内注有N型漂移区和第二P+区，N型漂移区内注有第三N+区；P型衬底、深N阱和低压P阱上均覆盖有氧化隔离层；第二N+区横跨在低压P阱的左边边界上，具有较高的正向击穿电压和更高的反向击穿电压。保护电路包括至少两个正、反接于被保护芯片端口和地端的上述ESD保护器件，可实现该被保护接口到地端的双向ESD保护电路。

主权项

一种PNPN型ESD保护器件，其特征在于，包括P型衬底（116），所述P型衬底（116）内设有N型埋层（102），N型埋层（102）上注有深N阱（101），所述深N阱（101）内注有第一N+区（104）、第一P+区（105）、第二N+区（106）和低压P阱（103），所述低压P阱（103）内注有N型漂移区（109）和第二P+区（108），所述N型漂移区（109）内注有第三N+区（107），其中：所述P型衬底（116）、深N阱（101）和低压P阱（103）上均覆盖有氧化隔离层（112）；所述第二N+区（106）横跨在所述深N阱（101）内低压P阱（103）的左边边界上。