[发明专利]一种硅穿孔的制造方法

摘要

本发明公开了一种硅穿孔(TSV)的制造方法，包含以下步骤：步骤1，提供一半导体硅基片，该硅基片具有正面和背面；在所述硅基片的正面形成硅穿孔图形；步骤2，在所述硅穿孔的底部形成研磨异质；步骤3，对所述硅穿孔进行填充和平坦化；步骤4，完成前道器件工艺和后道连线工艺，从所述硅基片的背面进行研削减薄工艺，减薄工艺接触到研磨异质后停止或者过研磨一定量，过研磨需要保留部分研磨异质；步骤5，去除研磨异质，调整硅穿孔突出或者凹陷的高度。本发明能改善TSV减薄工艺中的工艺波动，改善硅片间的厚度稳定性，同时解决TSV填充金属在研磨过程中的拉丝问题。 1

主权项

1.一种硅穿孔的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，提供一半导体硅基片，该硅基片具有正面和背面；在所述硅基片的正面形成硅穿孔图形；步骤2，在所述硅穿孔的底部形成研磨异质；方法是：使用悬涂玻璃工艺，在所述硅基片表面和所述硅穿孔侧壁以及底部形成氧化膜，所述硅穿孔底部的氧化膜厚度远大于其他区域的氧化膜厚度；然后，采用各向同性的干法刻蚀或者湿法刻蚀工艺去除所述硅基片表面和所述硅穿孔侧壁的氧化膜；步骤3，对所述硅穿孔进行填充和平坦化；步骤4，完成前道器件工艺和后道连线工艺，从所述硅基片的背面进行研削减薄工艺，减薄工艺接触到研磨异质后停止或者过研磨一定量，过研磨需要保留部分研磨异质；步骤5，去除研磨异质，调整硅穿孔突出或者凹陷的高度。