[发明专利]一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺有效
| 申请号： | 201310573377.1 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103560083A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 黎威志;王洪;卢斐;徐洁 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;G03F7/00;G03F7/42 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，首先形成第一层牺牲层，然后沉积并刻蚀形成第二层牺牲层，其图形与所需电极引线互补；然后去除第一层牺牲层，之后溅射金属层。最后去除第二层牺牲层，得到所需金属电极引线图形。本发明的方法不受光刻胶限制，可获得大规模非制冷红外探测器所需的极细电极引线图形。同时，该方法不存在湿法刻蚀工艺中对图形的过刻，从而可以保证图形边缘的整齐。此外，该方法避免了使用昂贵的CMP工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制冷 红外 平面 探测器 电极 图形 剥离 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，其特征在于，首先形成第一层牺牲层，然后沉积并刻蚀形成第二层牺牲层，其图形与所需电极引线互补；然后去除第一层牺牲层，之后溅射金属层，最后去除第二层牺牲层，得到所需金属电极引线图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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