[发明专利]一种半导体处理装置有效

专利信息
申请号: 201310573877.5 申请日: 2013-11-15
公开(公告)号: CN104637838B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 倪图强;罗伟艺;黄智林 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种半导体处理装置。本发明通过设置一个电浮地的电信号检测器在射频环境中,就近接收多个探头接收到的微弱电信号,将这些电信号处理后获得所需的工艺参数数据,并将工艺参数数据转化为光学信号传输到射频环境外,最终获得精确的测量数据,而且避免了射频功率的外泄,节约了多个滤波器的成本和空间。
搜索关键词: 半导体处理装置 工艺参数数据 射频环境 滤波器 电信号检测器 光学信号传输 电信号处理 微弱电信号 测量数据 射频功率 探头 电浮 外泄 节约 转化
【主权项】:
1.一种半导体处理装置,包括:反应腔,反应腔内包括一个基座,基座上设置有绝缘材料支撑盘,支撑盘上设置有待处理基片,射频发生装置,发生射频电磁场并施加到反应腔内;反应腔底部和侧壁包括电场屏蔽导体,屏蔽反应腔内的电场;所述支撑盘内包括第一加热装置加热所述支撑盘的第一区域,一个第二加热装置围绕在第一加入装置外围加热所述支撑盘的第二区域,第一热电偶包括一个探测端设置于所述第一区域,还包括一个第二端连接到一个温度检测器;第二热电偶包括一个探测端设置于所述第二区域,还包括一个第二端连接到所述温度检测器;所述温度检测器位于由所述电场屏蔽导体所包围的受射频电场影响区域内,处于电悬浮状态,接收并处理来自第一热电偶和第二热电偶的电信号并获得第一区域和第二区域的温度信号,通过一个传输光纤传输所述温度信号到位于屏蔽导体外侧的工艺控制器。
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