[发明专利]一种半导体处理装置有效
申请号: | 201310573877.5 | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN104637838B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 倪图强;罗伟艺;黄智林 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体处理装置。本发明通过设置一个电浮地的电信号检测器在射频环境中,就近接收多个探头接收到的微弱电信号,将这些电信号处理后获得所需的工艺参数数据,并将工艺参数数据转化为光学信号传输到射频环境外,最终获得精确的测量数据,而且避免了射频功率的外泄,节约了多个滤波器的成本和空间。 | ||
搜索关键词: | 半导体处理装置 工艺参数数据 射频环境 滤波器 电信号检测器 光学信号传输 电信号处理 微弱电信号 测量数据 射频功率 探头 电浮 外泄 节约 转化 | ||
【主权项】:
1.一种半导体处理装置,包括:反应腔,反应腔内包括一个基座,基座上设置有绝缘材料支撑盘,支撑盘上设置有待处理基片,射频发生装置,发生射频电磁场并施加到反应腔内;反应腔底部和侧壁包括电场屏蔽导体,屏蔽反应腔内的电场;所述支撑盘内包括第一加热装置加热所述支撑盘的第一区域,一个第二加热装置围绕在第一加入装置外围加热所述支撑盘的第二区域,第一热电偶包括一个探测端设置于所述第一区域,还包括一个第二端连接到一个温度检测器;第二热电偶包括一个探测端设置于所述第二区域,还包括一个第二端连接到所述温度检测器;所述温度检测器位于由所述电场屏蔽导体所包围的受射频电场影响区域内,处于电悬浮状态,接收并处理来自第一热电偶和第二热电偶的电信号并获得第一区域和第二区域的温度信号,通过一个传输光纤传输所述温度信号到位于屏蔽导体外侧的工艺控制器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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