[发明专利]超级结MOSFET器件的结构有效
| 申请号： | 201310574061.4 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104638004B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结MOSFET器件的结构，其有源区第一半导体层和第二半导体层的宽度比S1、终端区第一半导体层和第二半导体层的宽度比S2、有源区和终端区第一半导体层的掺杂浓度m、有源区和终端区第二半导体层的掺杂浓度n，满足条件0<1‑S1m/n≤0.1且‑0.1≤1‑S2m/n<0；或者‑0.1≤1‑S1m/n<0且0<1‑S2m/n≤0.1。本发明通过对有源区和终端区的第一半导体层和第二半导体层的宽度比和掺杂浓度比进行合理地设计，使有源区和终端区的击穿电压分布在一定的差异范围内，降低了击穿电压的极差，提高了击穿电压的均匀性和超级结MOSFET器件的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 mosfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
超级结MOSFET器件的结构，其特征在于，该超级结MOSFET的有源区第一半导体层和第二半导体层的宽度比S1、终端区第一半导体层和第二半导体层的宽度比S2、有源区和终端区第一半导体层的掺杂浓度m、有源区和终端区第二半导体层的掺杂浓度n，满足条件：0<1‑S1m/n≤0.1且‑0.1≤1‑S2m/n<0；或者‑0.1≤1‑S1m/n<0且0<1‑S2m/n≤0.1。
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