[发明专利]一种双极性薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201310575035.3 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103606558A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘权;梁凌燕;罗浩;邓福岭;曹鸿涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双极性薄膜晶体管，从下至上依次包括：衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层，所述沟道层上设有源极和漏极，源极与沟道层的接触面和漏极与沟道层的接触面上分别设有透明的势垒层，所述势垒层材质的禁带宽度大于所述的沟道层材质的禁带宽度。本发明在沟道层和源漏电极之间设置势垒层，且该势垒层的禁带宽度大于沟道层的禁带宽度，增大了源、漏电极和沟道层的接触势垒，大大的提高了双极性薄膜晶体管的对称性、开关比和场效应迁移率，增大场效应迁移率有利于提高器件的响应速度，增大开关比，有利于提高器件的可靠性，可应用于高性能反相器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极性薄膜晶体管，从下至上依次包括：衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层，所述沟道层上设有源极和漏极，其特征在于，源极与沟道层的接触面和漏极与沟道层的接触面上分别设有透明的势垒层，所述势垒层材质的禁带宽度大于所述的沟道层材质的禁带宽度。
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