[发明专利]可降低单晶头部漩涡缺陷的直拉单晶生产工艺及检测方法无效
| 申请号： | 201310575640.0 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103556216A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 马洋;徐强;王岩;谷守伟;王永青;贾海洋;梁山;王军磊;贺金龙;陈康;张艳磊;高树良;沈浩平 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 010070 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可降低单晶头部漩涡缺陷的直拉单晶生产工艺及检测方法。在放肩工艺中，设定放肩时晶升速度为40-80mm/hr，设定放肩时的热场温度降幅为0-60sp，控制放肩长度为100-130mm，顶角角度为40°-80°。其检测方法：取样片在抛光液中抛光3-5min，在扩散炉温度为850℃中恒温40min，缓慢冷却，在腐蚀液中腐蚀3-5分钟，然后用水处理干净，即可裸眼从硅片表面观测出单晶头部漩涡缺陷情况。通过改变直拉单晶生产工艺，采取调整放肩时的晶升速度和温度降幅来使单晶生长固液界面提前翻转，降低了单晶头部的漩涡缺陷长度，从而解决单晶漩涡缺陷问题，提高了单晶的合格率，降低了成本，增加了经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 头部 漩涡 缺陷 直拉单晶 生产工艺 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种可降低单晶头部漩涡缺陷的直拉单晶生产工艺，其特征在于：在放肩工艺中，设定放肩时晶升速度为40‑80mm/hr，设定放肩时的热场温度降幅为0‑60sp，控制放肩长度为100‑130mm，顶角角度为40‑80°。
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