[发明专利]一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置

摘要

本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该装置将离子束、磁控溅射两种镀膜技术集成于一个真空室，通过设计多个镀膜工位并经样品台旋转与镀膜工位重合完成不破坏真空情况下的复合镀膜，设备可实现离子束溅射沉积、离子束辅助沉积、离子束直接沉积、单靶磁控溅射沉积、双靶磁控溅射聚焦共沉积、双靶磁控溅射垂直沉积多层膜、离子束磁控溅射复合镀膜等多种镀膜方式，大大扩展了设备的生产和研究功能。利用该装置采用离子束磁控溅射两步法沉积微晶硅薄膜可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；镀膜在同一真空室内完成，节约设备成本。

主权项

一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置，其特征是，具体为一个真空室（1），真空室顶部设置有通向真空室内的中能注入离子源（2），真空室左右两个侧壁上各设置有一个通向真空室内的溅射离子源（7），真空室后壁上方设置有一个通向真空室内的低能辅助离子源（3），真空室后壁下方设置有两个与分子泵连通的抽气管（10）；真空室内设置有样品台（8），样品台（8）通过转轴（9）与真空室的底部连接；样品台（8）上方设有两个左右对称布置的磁控溅射靶头（5），磁控溅射靶头（5）通过磁控溅射支架（4）与真空室的顶部连接；磁控溅射靶头（5）上方设有两个左右对称布置的离子束转靶（6）。