[发明专利]包括经掺杂低温缓冲层的假晶高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201310577008.X | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103824881B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·阿布罗克华;内森·珀金斯;约翰·斯坦贝克;菲尔伯特·马什;汉斯·G·罗丁 | 申请（专利权）人： | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及一种包括经掺杂低温缓冲层的假晶高电子迁移率晶体管。一种假晶高电子迁移率晶体管PHEMT包括衬底，其包括III‑V族半导体材料；缓冲层，其安置于所述衬底上方，其中所述缓冲层包括V族半导体元素的微沉淀物且掺杂有N型掺杂剂；及沟道层，其安置于所述缓冲层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 掺杂 低温 缓冲 假晶高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种假晶高电子迁移率晶体管PHEMT，其包括：衬底，其包括III‑V族半导体材料；缓冲层，其安置于所述衬底上方，其中所述缓冲层包括V族半导体元素的微沉淀物且掺杂有N型掺杂剂，其中所述N型掺杂剂包括硅，且其中所述缓冲层为低温GaAs且所述缓冲层中包含As微沉淀物；及沟道层，其安置于所述缓冲层上方。
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