[发明专利]制作FinFET的方法在审
| 申请号： | 201310578588.4 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104658908A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作FinFET的方法，包括：a）提供SOI衬底，所述SOI衬底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的掩埋绝缘层以及位于所述掩埋绝缘层上的Si层；b）对所述Si层进行刻蚀至露出所述掩埋绝缘层，以形成用于NMOS晶体管的第一鳍片和用于PMOS晶体管的第二鳍片；c）形成仅覆盖所述第二鳍片的反应层，所述反应层中包括Ge；以及d）执行Ge凝结工艺，以使Ge从所述反应层中扩散到所述第二鳍片中。根据本发明的制作FinFET的方法通过Ge凝结工艺可以在用于PMOS晶体管的第二鳍片中加入Ge，而不会对用于NMOS晶体管的第一鳍片产生任何影响，提高了PMOS晶体管的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 finfet 方法 | ||
【主权项】：
一种制作FinFET的方法，包括：a）提供SOI衬底，所述SOI衬底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的掩埋绝缘层以及位于所述掩埋绝缘层上的Si层；b）对所述Si层进行刻蚀至露出所述掩埋绝缘层，以形成用于NMOS晶体管的第一鳍片和用于PMOS晶体管的第二鳍片；c）形成仅覆盖所述第二鳍片的反应层，所述反应层中包括Ge；以及d）执行Ge凝结工艺，以使Ge从所述反应层中扩散到所述第二鳍片中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
