[发明专利]一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺

摘要

本发明涉及一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺。包括以下步骤：在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法低温沉积粘附层钛薄膜，粘附层钛薄膜覆盖在二氧化硅上表面；沉积阻挡层氮化钛薄膜，阻挡层氮化钛薄膜覆盖在粘附层钛薄膜上表面；高温沉积铝薄膜，铝薄膜覆盖在阻挡层氮化钛薄膜上表面；铝薄膜上表面沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜上表面沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在铝薄膜上表面直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和。本发明的有益效果是：采用简单的工艺流程克服了铝薄膜在生产工艺过程中铝晶粒无序增大使铝薄膜产生小丘状的缺陷。

主权项

一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺，其特征在于，包括以下步骤：在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法沉积粘附层钛薄膜，所述粘附层钛薄膜覆盖在所述二氧化硅上表面；沉积粘附层钛薄膜之后，采用物理气相沉积方法沉积阻挡层氮化钛薄膜，所述阻挡层氮化钛薄膜覆盖在所述粘附层钛薄膜不与所述二氧化硅相接触的那一表面上；沉积阻挡层氮化钛薄膜之后，采用物理气相沉积方法沉积铝薄膜，所述铝薄膜覆盖在所述阻挡层氮化钛薄膜不与所述粘附层钛薄膜相接触的那一表面上；所述铝薄膜不与阻挡层氮化钛薄膜相接触的那一面上沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜不与铝薄膜相接触的那一面上沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在所述铝薄膜不与阻挡层氮化钛薄膜相接触的那一面上直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至所述防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和。