[发明专利]一种生物细胞特性测量纳米电极阵列结构及其制造方法有效
申请号: | 201310582012.5 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN103558368A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 王作斌;张子昂;王大鹏;宋正勋;翁占坤;胡贞;许红梅;李理;于淼;曲英敏 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | G01N33/48 | 分类号: | G01N33/48;B81C1/00;B81B7/04 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 成金玉;孟卜娟 |
地址: | 130022 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及一种生物细胞特性测量纳米电极阵列结构及其制造方法,该电极阵列主要用于细胞电特性测量。克服现有技术电极尺度较大的不足,提出一种纳米电极阵列方案,并利用激光干涉光刻技术方法通过直接或间接制造,提供了该纳米电极阵列的制造方法。以及利用该纳米电极阵列测量细胞电信号特性的方法,该纳米电极阵列可获得在亚细胞水平上揭示细胞细节信号的变化,有利于对细胞生物特性进行更好的研究,获得比以往更精细的结果,提高细胞电信号测量分辨率。同时本发明纳米电极阵列制造方法性能可靠,具有制造成本较低的优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 生物 细胞 特性 测量 纳米 电极 阵列 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种生物细胞特性测量纳米电极阵列结构,其特征在于:包括基板和在基板上刻蚀的周期性纳米电极阵列;所述周期性纳米电极阵列为一组或两组独立线栅,每组线栅宽度为20nm-500nm,高度为20nm-200nm,周期为200nm-1000nm,所述两组线栅相距200nm-500nm。
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