[发明专利]蚀刻方法、半导体器件在审
| 申请号： | 201310582336.9 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104658896A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 马军德;郭亮良;汪新学;阮炯明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻方法、半导体器件。所述蚀刻方法，包括：提供基底；在所述基底上形成半导体层堆叠结构，所述半导体层堆叠结构包括至少两层在所述基底上并行排列且相互接触的半导体层；对所述半导体层堆叠结构进行第一蚀刻，以实现图形化；对所述半导体层堆叠结构进行第二蚀刻，以去除第一蚀刻在半导体层交界面处形成的聚合物。本发明还提供一种半导体器件，采用所述的蚀刻方法形成。本发明能提高半导体器件的性能和产量。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成半导体层堆叠结构，所述半导体层堆叠结构包括至少两层在所述基底上并行排列且相互接触的半导体层；对所述半导体层堆叠结构进行第一蚀刻，以实现图形化；对所述半导体层堆叠结构进行第二蚀刻，以去除所述第一蚀刻在半导体层交界面处形成的聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
