[发明专利]碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构、太阳电池、电池组件及制备方法无效
| 申请号： | 201310582687.X | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103762250A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋猛;张征宇 | 申请（专利权）人： | 恒基伟业知识产权管理顾问（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 李茜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于新能源材料与器件领域，尤其涉及碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构、太阳电池、电池组件及制备方法。发明的技术方案为：一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构，所述背接触结构位于碲化镉吸收层和背电极层之间，所述背接触结构为氮化钼和氧化钼的混合物层，结构为(1-A)氮化钼-A氧化钼，0<A<1。MoOy的功函数较高，MoNx的导电性较好，采用两者复合，可以背接触材料兼具这两种材料的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化镉 薄膜 太阳电池 接触 结构 电池 组件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构，所述背接触结构位于碲化镉吸收层和背电极层之间，其特征在于：所述背接触结构为氮化钼和氧化钼的混合物层，结构为(1‑A)氮化钼‑A氧化钼， 0<A<1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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