[发明专利]一种对场效应晶体管进行建模的方法及电路仿真方法在审
| 申请号： | 201310583177.4 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104657522A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 魏琰;董金珠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对场效应晶体管进行建模的方法及电路仿真方法。所述对场效应晶体管进行建模的方法包括调取被选择场效应晶体管所记录的栅极电压及其对应的漏极电流，以得到所述场效应晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系；基于所述场效应晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系获取所述晶体管结构的第一等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系及所述浅沟槽隔离结构的第二等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系；根据所述晶体管结构的第一等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系和所述浅沟槽隔离结构的第二等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系建立场效应晶体管模型。本发明能够建立准确的场效应晶体管模型，以提高电路仿真的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 进行 建模 方法 电路 仿真 | ||
【主权项】：
一种对场效应晶体管进行建模的方法，其特征在于，包括：调取被选择场效应晶体管所记录的输入的栅极电压和输入栅极电压时所产生的漏极电流，以得到所述场效应晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系；所述场效应晶体管包括晶体管结构和浅沟槽隔离结构；基于所述场效应晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系获取所述晶体管结构的第一等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系及所述浅沟槽隔离结构的第二等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系；根据所述晶体管结构的第一等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系和所述浅沟槽隔离结构的第二等效漏极电流随所述栅极电压变化的关系建立场效应晶体管模型。
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