[发明专利]包括凹槽中的应力源的半导体器件及其形成方法

摘要

公开了包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法可以包括在有源区中形成包含磷的快刻蚀区、以及通过使快刻蚀区凹进来在有源区中形成第一沟槽。该方法还可以包括通过使用定向刻蚀处理扩大第一沟槽来在有源区中形成第二沟槽、以及在第二沟槽中形成应力源。第二沟槽可以包括有源区的凹口部分。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括步骤：在衬底中的有源区中形成轻掺杂漏极；在所述轻掺杂漏极中形成包含磷的快刻蚀区；通过使所述快刻蚀区凹进来在所述有源区中形成第一沟槽；通过使用定向刻蚀处理扩大所述第一沟槽来在所述有源区中形成第二沟槽，其中所述第二沟槽包括所述有源区的凹口部分；在所述第二沟槽中形成应力源；以及在所述有源区上形成栅电极，其中，在形成所述快刻蚀区之前，所述方法还包括步骤：在所述有源区上形成初步栅电极并在所述初步栅电极的侧壁上形成隔离物，并且其中，所述隔离物包括所述栅电极的侧壁上的第一隔离物、所述第一隔离物上的第二隔离物和所述第二隔离物上的第三隔离物，其中在所述第二沟槽中形成所述应力源的步骤包括：在所述第二沟槽中形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成第二半导体层；以及在所述第二半导体层上形成第三半导体层，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层包含所述有源区没有的材料，并且所述第一半导体层与所述第一隔离物接触。