[发明专利]保护膜的形成方法、保护膜、硬化性组合物以及积层体

摘要

本发明涉及一种保护膜的形成方法、保护膜、硬化性组合物以及积层体。本发明提供一种晶片级封装用保护膜的形成方法，其通过将硬化性组合物涂布于具有半导体元件的晶片上，使所得的涂膜硬化而形成保护膜，所述硬化性组合物含有：含烯基的聚硅氧烷(A)、氢化聚硅氧烷(B)以及硅氢化反应用催化剂(C)，并且满足特定的条件。依据本发明的钝化膜的形成方法，即便是于晶片级封装技术中遍及宽广面积而形成保护膜的情况，也可以抑制晶片的翘曲以及保护膜的龟裂的产生。

主权项

一种晶片级封装用保护膜的形成方法，其特征在于：通过将硬化性组合物涂布于具有半导体元件的晶片上，使所得的涂膜硬化而形成保护膜，所述硬化性组合物含有下述化学式(1)所表示的至少1种含烯基的聚硅氧烷(A)、下述化学式(2)所表示的至少1种氢化聚硅氧烷(B)以及硅氢化反应用催化剂(C)，并且满足下述式(3)及下述式(4)所示的条件：(R¹R²₂SiO_1/2)_a1(R³₃SiO_1/2)_b1(R⁴₂SiO_2/2)_c1(R⁵SiO_3/2)_d1(SiO_4/2)_e1(OX¹)_f1        (1)式中，R¹为烯基，R²分别独立地为烷基、芳基或者芳烷基，R³、R⁴及R5分别独立地为烷基、芳基、芳烷基或者具有环氧基的基团，X¹分别独立地表示氢原子或者碳数1～3的烷基；符号a1、符号b1、符号c1、符号d1、符号e1及符号f1表示1分子中所含的标注有所述符号的结构单元的个数，a1为2以上的整数，b1、c1、d1、e1及f1分别独立地为0以上的整数；(HR⁶₂SiO_1/2)_a2(R⁷₃SiO_1/2)_b2(R⁸₂SiO_2/2)_c2(R⁹SiO_3/2)_d2(SiO_4/2)_e2(OX²)_f2       (2)式中，R⁶分别独立地为烷基、芳基或者芳烷基，R⁷、R⁸及R⁹分别独立地为烷基、芳基、芳烷基或者具有环氧基的基团，X²分别独立地表示氢原子或者碳数1～3的烷基；符号a2、符号b2、符号c2、符号d2、符号e2及符号f2表示1分子中所含的标注有所述符号的结构单元的个数，a2为2以上的整数，b2、c2、d2、e2及f2分别独立地为0以上的整数；0.1＜[∑〔(d1+e1)×L₁〕+∑〔(d2+e2)×L₂〕]/[∑〔(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁〕+∑〔(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂〕]＜0.6       (3)式中，a1～e1分别与式(1)中的a1～e1含义相同，表示与所述硬化性组合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)有关的a1～e1；a2～e2分别与式(2)中的a2～e2含义相同，表示与所述硬化性组合物中所含的各所述氢化聚硅氧烷(B)有关的a2～e2；L₁为将所述硬化性组合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)的含量以重量份表示时的数值，L₂为将所述硬化性组合物中所含的各所述氢化聚硅氧烷(B)的含量以重量份表示时的数值，其中，将各所述含烯基的聚硅氧烷(A)中的L₁的合计与各所述氢化聚硅氧烷(B)中的L₂的合计之和设为100；∑〔(d1+e1)×L₁〕表示所述硬化性组合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)中的(d1+e1)×L₁的总和，∑〔(d2+e2)×L₂〕表示所述硬化性组合物中所含的各所述氢化聚硅氧烷(B)中的(d2+e2)×L₂的总和，∑〔(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁〕表示所述硬化性组合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)中的(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁的总和，∑〔(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂〕表示所述硬化性组合物中所含的各所述氢化聚硅氧烷(B)中的(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂的总和；0.05＜[∑〔c1×L₁〕+∑〔c2×L₂〕]/[∑〔(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁〕+∑〔(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂〕]＜0.5       (4)式中，a1～e1分别与式(3)中的a1～e1含义相同，a2～e2分别与式(3)中的a2～e2含义相同；L₁及L₂分别与式(3)中的L₁及L₂含义相同；∑〔c1×L₁〕表示所述硬化性组合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)中的c1×L₁的总和，∑〔c2×L₂〕表示所述硬化性组合物中所含的各所述氢化聚硅氧烷(B)中的c2×L₂的总和，∑〔(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁〕表示所述硬化性组合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)中的(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁的总和，∑〔(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂〕表示所述硬化性组合物中所含的各所述氢化聚硅氧烷(B)中的(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂的总和。