[发明专利]一种生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法

摘要

本发明公开了一种生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法。本发明的生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法根据三元半导体合金的各原子的组分确定最佳生长温度以及各原子的原子束流，从而控制三元半导体合金的生长，得到了晶体质量良好、表面平整的全组分三元半导体合金，具有低的背景电子浓度和高的电子迁移率，室温下具有强烈的带边发光。本发明快速确定任意组分三元半导体合金的最佳生长条件，从而实现全组分生长；确保采用最高的生长温度生长，并且富金属生长条件形成表面活性剂，增强原子迁移能力；生长温度和相应的原子束流条件准确控制三元半导体合金的组分。

主权项

一种全组分可调三元半导体合金的制备方法，用于制备III‑V族或II‑VI族三元半导体合金，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1）对模板进行预处理，使模板的表面洁净；2）确定三元半导体合金中各原子的组分，根据组分确定边界温度；3）根据生长速度，确定V族或VI族原子的原子束流；4）根据各原子的组分，确定与V族或VI族原子形成化学键的键能较大的原子的原子束流；5）确定与V族原子形成化学键的键能较小的原子的原子束流，使两种III族原子的原子束流之和不小于V族原子的原子束流，或者确定与VI族原子形成化学键的键能较小的原子的原子束流，使两种II族原子的原子束流之和不小于VI族原子的原子束流；6）按照以上确定的条件，在洁净的模板上生长三元半导体合金。