[发明专利]一种石墨烯温度传感器及其制备工艺有效
| 申请号： | 201310586376.0 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103630254A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;马中发;吴勇;庄奕琪;赵钰迪;冯元博;陈祎坤 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01K7/00 | 分类号： | G01K7/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 发明公开了一种石墨烯温度传感器及其制备工艺，其结构从上到下依次为：顶栅电极、镍铬合金膜、上SiO2层、氢倍半硅氧烷、双层石墨烯与源漏电极、下SiO2层、Si衬底、背栅电极。采用将由机械剥离得到的双层石墨烯淀积在一个带有300nm厚的SiO2层的Si衬底上，使用电子束光刻技术在源端和漏端制造电极，热蒸发5nmCr/100nmAu。本发明的石墨烯温度传感器相较于现有的传感器，该温度传感器有很高的敏感度，较低的本征噪声以及很高的探测速度。这在航天领域有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 温度传感器 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种石墨烯温度传感器，其特征在于，其结构从上到下依次为：顶栅电极、镍铬合金膜、上SiO2层、氢倍半硅氧烷、双层石墨烯与源漏电极、下SiO2层、Si衬底、背栅电极。
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