[发明专利]硅片的清理方法及减反射膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种硅片的清理方法及减反射膜的制备方法。该清理方法包括步骤S1，将硅片置于PECVD设备的工艺腔中进行预热至预定温度；步骤S2，向硅片的表面通入卤化氢气体，并使卤化氢气体发生等离子体化。在PECVD工艺腔中将卤化氢气体等离子化，利用等离子体化的氢离子对硅片进行钝化，去除硅片表面的氧化物；利用等离子体化的卤素离子与硅片表面的金属离子进行反应形成气态的金属卤化物，所形成的金属卤化物随着未反应的卤化氢气体排出PECVD工艺腔；上述清理方法在PECVD工艺腔中实施，因此不需要化学清洗所需的清洗设备和清洗药剂；经过上述清理之后的硅片有效地避免了污染物或氧化物对硅片产生的负面影响。

主权项

一种硅片的清理方法，其特征在于，所述清理方法包括：步骤S1，将硅片置于PECVD设备的工艺腔中进行预热至预定温度，所述预定温度为150～250℃；步骤S2，向硅片的表面通入卤化氢气体，并使所述卤化氢气体发生等离子体化。