[发明专利]晶片堆迭结构的洗净方法及洗净设备无效
| 申请号： | 201310589200.0 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104624548A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 黄富源;张修凯;王玺钧;王志成 | 申请（专利权）人： | 弘塑科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/04 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 于宝庆 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种晶片堆迭结构的洗净方法，其特征在于，先提供一晶片堆迭结构，该晶片堆迭结构具有至少一位于晶片与基板之间的微小间隙，该微小间隙约为20～50μm，尚具有可让液体流通的空间，之后提供一化学清洗液，并使该化学清洗液以毛细现象进入该微小间隙，再进一步以特定模式自该微小间隙排出。采用本发明的方法，可有效去除三维、垂直互连的晶片堆迭结构中微小间隙内的助焊剂或其他杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 结构 洗净 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种晶片堆迭结构的洗净方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶片堆迭结构，该晶片堆迭结构具有至少一位于晶片与基板之间的微小间隙，该微小间隙具有可让液体流通的一流入侧及一流出侧；以及提供一化学清洗液，并使该化学清洗液从所述流入侧进入所述微小间隙，且自所述流出侧排出。
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