[发明专利]一种多次可程序化互连矩阵及其规划方法

摘要

本发明提供了一种多次可程序化互连矩阵及其规划方法，该多次可程序化互连矩阵包含形成一个M×N大小阵列的多个半导体非易失性存储器元件。根据一特定互连规划，位于该阵列中的该些非易失性存储器元件被程序化至一高阈值电压状态或被抹除至一低阈值电压状态。施加一栅电压于该阵列中的所有非易失性存储器元件的控制栅极后，就形成了被规划的互连网络，其中该栅电压高于该低阈值电压且低于该高阈值电压。本发明的互联矩阵可提供一种非常方便和成本效益的方法来规划IC芯片中的电路布线。

主权项

一种多次可程序化互连矩阵，其特征在于，所述多次可程序化互连矩阵包含：多个非易失性存储器单元，被配置为具有行与列的电路组态，各所述非易失性存储器单元具有一源极、一漏极、一浮动栅、一控制栅和一通道区，位于同一行的非易失性存储器单元的控制栅形成一相对应控制栅线，位于同一列的非易失性存储器单元的漏极形成一相对应位线，位于同一行的所述多个非易失性存储器单元被分为多个单元配对以致于各所述单元配对分享一共源极并连接至两条相邻位线，位于同一行中的所述多个非易失性存储器单元的所述共源极形成一相对应源极线，在每一程序化周期后，所述多个非易失性存储器单元被规划成多个抹除单元和多个被程序化单元；多个第一切换器和多个第二切换器分别设在多条所述位线的第一端和第二端；以及多个第三切换器和多个第四切换器分别设在多条所述源极线的第一端和第二端；其中当将多条所述控制栅线被偏压时，所述多个抹除单元和所述多个被程序化单元的电传导状态取决于所述多个非易失性存储器单元的电传导型。