[发明专利]一种N型晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)采用N型单晶硅为衬底，清洗、制绒；(2)在硅片的背面的电极区域印刷硼浆，烘干、退火后形成硼掺杂PN结，同时在硅片背面形成氧化层；(3)单面磷扩散；(4)对硅片的背面进行局部刻蚀；(5)去除杂质玻璃层；(6)沉积钝化减反射膜；(7)印刷铝浆，形成铝背结；(8)印刷正面电极、背面电极，烘干；即可得到N型晶体硅太阳能电池。本发明开在硅片背面的非电极区域进行铝浆掺杂形成铝背结，背面电极区域采用硼浆掺杂制备电极，不仅解决了组件焊接的难题，同时避免了因背面PN结面积减少而带来的电池效率降低的问题。

主权项

一种N型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 采用N型单晶硅为衬底，将硅片进行清洗、制绒；(2) 在上述硅片的背面的电极区域印刷硼浆，烘干、退火后形成硼掺杂PN结，同时在硅片背面形成氧化层；(3) 将上述硅片背靠背进行单面磷扩散，硅片的正面为扩散面；(4) 对上述硅片的背面进行局部刻蚀，去除非电极区域的氧化层，保留电极区域的氧化层；(5) 清洗，去除硅片正反面的杂质玻璃层；(6) 在上述硅片的正面沉积钝化减反射膜；(7) 在上述硅片的背面的非电极区印刷铝浆，形成铝背结，烘干；(8) 在硅片的正面印刷正面电极，在硅片的背面的电极区印刷背面电极，烘干；即可得到N型晶体硅太阳能电池。