[发明专利]一种三氧化钼四方纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201310589644.4 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103613136A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 唐国钢;李长生;王凤;栾丹 | 申请（专利权）人： | 镇江市高等专科学校 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212003 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三氧化钼四方纳米片的制备方法,其特征在于步骤如下：将钼源、硫源及还原剂溶于溶剂中，通过离心搅拌使其均匀的分散到溶液中，移入不锈钢反应釜，密封，恒温100℃～300℃反应24h后，冷却至室温，得到反应产物，分离上述反应产物，洗涤、干燥，得到前驱体MoS2；将MoS2纳米材料置于管式炉中，在空气或氧气气氛中，300℃～600℃下恒温保温24h，退火0.5～5h得到MoO3四方纳米片，厚度在100-150nm，大小1～2μm。本发明方法的原料易得、价格低廉，制备工艺简单、参数易控，生产过程安全环保，其能在气敏、磁性及锂电材料等方面广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钼 四方 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三氧化钼四方纳米片的制备方法,其特征在于步骤如下：（1）前驱体MoS2纳米材料制备：将钼源、硫源及还原剂溶于溶剂中，通过离心搅拌使其均匀的分散到溶液中，移入不锈钢反应釜，密封，恒温100℃～300℃反应24h后，冷却至室温，得到反应产物，分离反应产物，洗涤、干燥，得到前驱体MoS2纳米材料；（2）有氧退火烧结合成MoO3四方纳米片：将合成的MoS2纳米材料置于管式炉中，在空气或氧气气氛中，300℃～600℃下退火0.5～5h得到MoO3四方纳米片，厚度在100‑150nm，大小1～2μm。
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