[发明专利]边缘光滑的半导体衬底的制备方法无效
| 申请号： | 201310590117.5 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103560105A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 叶斐;陈国兴;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/304;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种边缘光滑的半导体衬底的制备方法，包括如下步骤：提供一第一衬底及第二衬底；在第一衬底和/或第二衬底的表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起；对键合后的第一衬底及绝缘层实施倒角处理；对倒角处理后的第一衬底及绝缘层实施边缘抛光。本发明的优点在于，对实施倒角步骤后的第一衬底及绝缘层进行边缘抛光处理，显著降低倒角步骤带来的绝缘层材料碎屑在边缘区域的残留，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 光滑 半导体 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种边缘光滑的半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一第一衬底及第二衬底； 在第一衬底和/或第二衬底的表面形成绝缘层； 以绝缘层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起； 对键合后的第一衬底及绝缘层实施倒角处理； 对倒角处理后的第一衬底及绝缘层实施边缘抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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