[发明专利]一种红外探测器芯片的清洗方法无效
申请号: | 201310590939.3 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN103681961A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 王永刚;王建新;钟艳红 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外探测器芯片的清洗方法,属红外探测器器件制造工艺技术领域。本发明采用去蜡剂取代三氯乙烯清洗芯片表面残留的蜡,在常温条件下,得到的芯片不管正面还是背面残留物几乎没有,比常规工艺清洗更加干净。基于常规工艺中,芯片表面石蜡的去除是在三氯乙烯中长时间浸泡,然后用毛笔和棉球清洗。这种方法不但浪费时间,而且清洗过程中,背面的蜡容易残留,正面毛笔的力度也不易控制,太轻容易残留蜡,太重则会损伤铟柱,没有客观的标准。本发明特提出采用去蜡剂取代三氯乙烯清洗芯片表面的石蜡,这样既节省了时间,提高了效率,又使操作简单方便,减少了人为因素对工艺过程的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外探测器 芯片 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种红外探测器芯片清洗方法,其特征在于包括以下工艺步骤:1)将探测器芯片放入去蜡剂中浸泡,探测器芯片为线列芯片时芯片浸泡10分钟,探测器芯片为面阵芯片时芯片浸泡20分钟;2)将芯片从去蜡剂中取出,放入三氯乙烯中浸泡5分钟,溶解芯片表面的残留的去蜡液;3)将芯片放入乙醚中浸泡3分钟,去除芯片表面的三氯乙烯,此外下一步用丙酮去除光刻胶时,三氯乙烯与丙酮容易形成悬浮物,影响芯片的清洗;4)将乙醚浸泡过的芯片放入丙酮中,溶解光刻胶,浸泡时间为10分钟;5)去除光刻胶后的芯片放入酒精中浸泡5分钟,溶解芯片表面残留的丙酮溶液,最后将芯片取出吹干,镜检使用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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