[发明专利]三维叠层封装方法以及影像传感器的制作方法在审
申请号: | 201310591056.4 | 申请日: | 2013-11-22 |
公开(公告)号: | CN103579103A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 张峰;郑健;杨云龙;王林;聂仕华;魏星;王文宇;刘涛;曹共柏 | 申请(专利权)人: | 上海新傲科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/306;H01L27/146 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201821 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供三维叠层封装方法以及影像传感器的制作方法,包括:提供第一衬底,第一衬底表面已经制作有至少一个第一器件,第一器件的引脚暴露于第一衬底的表面;提供第二衬底,第二衬底包括具有第一掺杂浓度的支撑层和具有第二掺杂浓度的器件层,器件层中亦制作有至少一个第二器件,第二器件引脚暴露于器件层的表面处,器件层包括多个通孔,通孔均填充有导电材料,并分别与第二器件至少一引脚电学连接;以第一衬底和第二衬底具有器件的表面为贴合面,将第一衬底和第二衬底贴合在一起,使第一器件和第二器件引脚接触;旋转腐蚀支撑层,使通孔暴露于器件层表面;重复上述步骤,将多个具有器件层的衬底依次贴合,形成具有多个器件层的三维封装结构。 | ||
搜索关键词: | 三维 封装 方法 以及 影像 传感器 制作方法 | ||
【主权项】:
一种三维叠层封装方法,其特征在于,包括如下步骤:提供第一衬底,所述第一衬底表面已经制作有至少一个第一器件,所述第一器件的引脚暴露于所述第一衬底的表面;提供第二衬底,所述第二衬底包括具有第一掺杂浓度的支撑层和具有第二掺杂浓度的器件层,所述器件层中亦制作有至少一个第二器件,所述第二器件的引脚暴露于器件层的表面处,所述器件层内包括多个通孔,所有所述通孔内均填充有导电材料,并分别与所述第二器件的至少一引脚电学连接;以所述第一衬底和第二衬底具有器件的表面为贴合面,将所述第一衬底和第二衬底贴合在一起,并使所述第一器件和第二器件的引脚接触;旋转腐蚀所述支撑层,使所述通孔暴露于所述器件层的表面; 重复上述步骤,将多个具有器件层的衬底依次贴合,形成具有多个器件层的三维封装结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造