[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。该外延片包括衬底、生长在衬底上的低温缓冲层、非掺杂的氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，从N型氮化镓层一侧开始的至少一个量子垒层采用AlxGa1-xN生长，0

主权项

一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、生长在所述衬底上的低温缓冲层、非掺杂的氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述多量子阱层为超晶格结构，所述超晶格结构包括交替生长的量子阱层和量子垒层，其特征在于，从所述N型氮化镓层一侧开始的至少一个量子垒层采用AlxGa1‑xN生长，0

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