[发明专利]烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线回收方法有效
| 申请号： | 201310593936.5 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103606595A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 商瑜;颜广;杨浩;杨国涛;唐宝田;程立威 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线的回收方法。其中烧结后不合格单晶硅电池片的再利用方法包括以下步骤：对不合格单晶硅电池片进行酸处理，得到待用硅片；将待用硅片返回单晶硅生产工艺进行二次加工，得到成品合格的单晶硅电池片。通过本发明所提供的上述方法，不仅可以变废为宝，把各种不合格的单晶硅电池片重新加工制成合格的单晶硅电池片，还可以很方便地回收贵重金属，大大节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 不合格 单晶硅 电池 再利用 及其 回收 方法 | ||
【主权项】：
一种烧结后不合格单晶硅电池片的再利用方法，其特征在于，包括以下步骤：对不合格单晶硅电池片进行酸处理，得到待用硅片；将待用硅片返回单晶硅电池片生产流程进行二次加工，得到成品合格的单晶硅电池片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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