[发明专利]硅和硅锗纳米线的形成

摘要

本发明提供了一种或多种半导体布置以及用于形成这种半导体布置的技术。例如，利用一个或多个硅和硅锗叠层，以形成包括锗纳米线沟道的PMOS晶体管和包括硅纳米线沟道的NMOS晶体管。在一个实例中，氧化第一硅和硅锗叠层，以将硅转化为氧化硅区，去除氧化硅区以形成PMOS晶体管的锗纳米线沟道。在另一个实例中，去除第二硅和硅锗叠层内的硅锗层，以形成NMOS晶体管的硅纳米线沟道。具有锗纳米线沟道的PMOS晶体管和具有硅纳米线沟道的NMOS晶体管作为单次制造工艺的一部分而形成。

主权项

1.一种用于形成半导体布置的方法，包括：在衬底上方形成第一硅和硅锗叠层，所述第一硅和硅锗叠层包括第一硅层和第一硅锗层；邻近所述第一硅和硅锗叠层的第一侧形成第一源极区；邻近所述第一硅和硅锗叠层的第二侧形成第一漏极区；氧化所述第一硅和硅锗叠层以形成第一锗纳米线沟道，所述氧化包括在同一氧化工艺中将所述第一硅层和所述第一硅锗层中的硅转化为氧化硅区，所述第一锗纳米线沟道形成在所述第一源极区和所述第一漏极区之间；去除所述氧化硅区；由所述第一硅和硅锗叠层形成第二锗纳米线沟道；在所述第一锗纳米线沟道周围形成第一介电层；在所述第二锗纳米线沟道周围形成第二介电层；在所述第一介电层和所述第二介电层周围形成第一栅极结构，以形成第一纳米线晶体管，其中，在所述第一介电层和所述第二介电层之间的间隔中不存在所述第一栅极结构；以及形成包括第一硅纳米线沟道的第二纳米线晶体管。