[发明专利]一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法有效
| 申请号： | 201310594591.5 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103575708A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周鹏宇;孙宝权;窦秀明;武雪飞;丁琨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;G01N21/01;G01J11/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法。该方法依靠准静水压压力装置对光通讯波段的半导体发光材料施加压力，将其发光波长向短波方向移动，而进入硅单光子探测的光谱探测范围，结合配有两个硅单光子探测器的HBT单光子测试系统进行检测，可以快速检测半导体样品位于光通讯波段的发光的单光子特性，具有简单、快速、高效、经济的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 通讯 波段 半导体材料 发光 光子 特性 方法 | ||
【主权项】：
一种检测光通讯波段半导体材料发光的单光子特性的方法，其特征在于，包括：步骤A，按照准静水压压力装置腔室的大小切割半导体样品；步骤B，将切割好的半导体样品装入所述准静水压装置的腔室中；步骤C，向装有半导体样品的准静水压压力装置的腔室中填充透明惰性材料的传压介质；步骤D，利用显微物镜使激发光透过所述准静水压装置的透明部分聚焦在其腔室中的样品上以激发样品，同时依靠该显微物镜收集样品的发光，通过调节所述准静水压压力装置内所述传压介质的压力，使待测半导体样品的发光波长移动至硅单光子探测器所对应的光谱探测范围内；步骤E，结合配有硅单光子探测器的HBT单光子测试系统，对所述准静水压压力装置内的半导体样品中量子点发光的单光子特性进行检测。
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