[发明专利]硅基NPN器件及制造方法在审
| 申请号： | 201310594896.6 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104659085A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;周正良;潘嘉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基NPN器件，基区由对有源区中的N型外延层进行P型离子注入形成的P型注入区组成，集电区由位于基区底部的N型外延层组成；发射区由N型注入区和N型多晶硅组成，N型注入区由在基区的部分区域中进行N型离子注入形成，N型注入区的底部和基区接触；N型多晶硅的底部和N型注入区接触；外基区由形成于发射区外部的基区表面的P型离子注入区组成。本发明发射区的N型多晶硅的引入，使得发射区带电离子分布的梯度减小，发射区带电离子浓度增加，降低了发射区电阻；同时能降低基区电流，在得到相同器件放大倍数的情况下，基区可以掺杂更多的离子，降低了基区电阻并能改善器件的高频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 npn 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基NPN器件，其特征在于，包括：硅衬底，在所述硅衬底上形成有N型外延层，在所述N型外延层上形成有局部氧化层，由所述局部氧化层隔离出有源区；基区，由对所述有源区中的所述N型外延层进行P型离子注入形成的P型注入区组成，集电区，由位于所述基区底部的N型外延层组成；所述基区的底部和所述集电区接触；发射区，由N型注入区和N型多晶硅组成，所述N型注入区由在所述基区的部分区域中进行N型离子注入形成，所述N型注入区的位置由发射极窗口定义，所述发射极窗口由发射极介质层刻蚀后围成，所述N型注入区的底部和所述基区接触；所述N型多晶硅的底部和所述N型注入区接触，所述N型多晶硅的顶部延伸到所述发射极介质层上方；外基区，由形成于所述发射区外部的所述基区表面的P型离子注入区组成，所述外基区的掺杂浓度大于所述基区的掺杂浓度并用于引出所述基区。
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