[发明专利]一种硫化亚铜薄膜的液相制备方法有效

专利信息
申请号: 201310595885.X 申请日: 2013-11-21
公开(公告)号: CN103613114A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 黄富强;谢宜桉;刘玉峰;陈海杰;王耀明 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C01G3/12 分类号: C01G3/12
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种硫化亚铜薄膜的液相制备方法,包括:将铜源溶于含有络合剂和含硫小分子试剂的醇溶液中,加入一定的粘度调节剂,形成澄清透明且稳定的前驱体溶液;将所述前驱体溶液通过非真空薄膜沉积工艺在衬底上沉积为前驱体薄膜并加热烘干;以及将所述前驱体薄膜在硫族元素气氛下于300~650℃退火20~200分钟形成硫化亚铜薄膜。本发明以氧化铜、氧化亚铜、氢氧化铜、和/或乙酰丙酮铜为铜源,不会在薄膜中引入阴离子杂质。而且,由于加入络合剂、粘度调节剂等,使得前驱体溶液澄清透明且稳定,从而制备过程均能在空气中操作,且形成的薄膜分布均匀、质量优异。
搜索关键词: 一种 硫化 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种硫化亚铜薄膜的液相制备方法,其特征在于,包括:将铜源溶于含有络合剂和含硫小分子试剂的醇溶液中,加入一定的粘度调节剂,形成澄清透明且稳定的前驱体溶液;将所述前驱体溶液通过非真空薄膜沉积工艺在衬底上沉积为前驱体薄膜并加热烘干;以及将所述前驱体薄膜在硫族元素气氛下于300~650℃退火20~200分钟形成硫化亚铜薄膜。
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