[发明专利]铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的非真空制备方法无效
| 申请号： | 201310595944.3 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103602982A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;谢宜桉;王耀明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的非真空制备方法，包括：按照CuxInyGa1-ySzSe2-z中Cu、In、Ga的化学计量比，将含铜化合物、含铟化合物和含镓化合物溶于含有络合剂和含硫小分子试剂的有机醇溶液中，并加入一定的粘度调节剂和溶液调节剂，形成澄清透明且稳定的有机前驱体溶液，0.6≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤2，含铜化合物为氧化铜、氧化亚铜、氢氧化铜和乙酰丙酮铜中的至少一种，含铟化合物为氧化铟、氢氧化铟和乙酰丙酮铟中的至少一种，含镓化合物为氧化镓、氢氧化镓和乙酰丙酮镓中的至少一种；将有机前驱体溶液在基板的导电层上沉积前驱薄膜；以及将前驱薄膜在硫族元素气氛下经退火形成光吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硫硒 薄膜 太阳电池 光吸收 真空 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的非真空制备方法，其特征在于，包括：（1）按照CuxInyGa1‑ySzSe2‑z中Cu、In、Ga的化学计量比，将含铜化合物、含铟化合物、和含镓化合物溶于含有络合剂和含硫小分子试剂的有机醇溶液中，并加入一定的粘度调节剂和溶液调节剂，形成澄清透明且稳定的有机前驱体溶液，其中0.6≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤2，所述含铜化合物为氧化铜、氧化亚铜、氢氧化铜和乙酰丙酮铜中的至少一种，所述含铟化合物为氧化铟、氢氧化铟和乙酰丙酮铟中的至少一种，所述含镓化合物为氧化镓、氢氧化镓和乙酰丙酮镓中的至少一种；（2）将所述有机前驱体溶液通过非真空溶液制膜工艺，在基板的导电层上沉积前驱薄膜并加热烘干；以及（3）将所述前驱薄膜在硫族元素气氛下经退火形成铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310595944.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
