[发明专利]一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法在审
| 申请号： | 201310596830.0 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104649275A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 郭校亮;王登科;姜大川;安广野;谭毅 | 申请（专利权）人： | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 266234 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于用电子束熔炼的技术领域，特别涉及一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，步骤包括装料、抽真空、电子枪预热、电子束轰击硅料和冷却后取料，电子束轰击硅料直到硅料全部熔化后，再调节电子束频率为5～10Hz，进行5～15min的电子束低频轰击。本发明的显著效果是电子束的低频化增强了扰动效果，提高生产效率10%以上，减少能耗1%～5%。经过5～15min的轰击熔炼，杂质氧的去除率达到88～95%；可使多晶硅铸锭底料以及单晶棒头尾料得到很好的重复利用；与不进行除氧工艺的多晶硅料相比，提高电池片的光电转换效率0.1%以上，工艺条件温和易于操作，生产周期短，技术稳定，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 低频 轰击 去除 硅料中氧 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，步骤包括装料、抽真空、电子枪预热、电子束轰击硅料和冷却后取料，其特征在于：所述的电子束轰击硅料是：直到硅料全部熔化后，再调节电子束频率为5～10Hz，进行5～15min的电子束低频轰击。
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