[发明专利]一种电子束熔炼去除多晶硅铸锭底料中杂质氧的方法在审
| 申请号： | 201310597068.8 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104649277A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 姜大川;郭校亮;安广野;王登科;谭毅 | 申请（专利权）人： | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 266234 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于用电子束熔炼的技术领域，特别涉及一种电子束熔炼去除多晶硅铸锭底料中杂质氧的方法。步骤包括将多晶硅铸锭底料破碎，清洗烘干后放入水冷铜坩埚中；调节真空泵组，将炉体真空度抽到5×10-2Pa以下，电子枪真空度抽到5×10-3Pa以下；设置高电压为25～35kW，预热5～10min后关闭高电压；设置电子枪束流为70～200mA，预热5～10min后关闭电子枪束流；同时打开电子枪的高电压和束流，用电子枪轰击硅料，增大电子枪束流至200～1200mA，直到硅料全部熔化后，继续轰击5～15min；关闭电子枪，待硅料经过10～60min冷却后关闭真空泵组，打开放气阀，取出硅料，取出的硅料中氧含量为0.0571ppmw以下。本发明的显著效果是将杂质氧的去除率达到88～95%生产周期短，技术稳定，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 熔炼 去除 多晶 铸锭 底料中 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束熔炼去除多晶硅铸锭底料中杂质氧的方法，其特征是步骤如下：（1）装料：将多晶硅铸锭底料破碎，清洗烘干后放入水冷铜坩埚中；（2）抽真空：调节真空泵组，将炉体真空度抽到5×10‑2Pa以下，电子枪真空度抽到5×10‑3Pa以下；（3）电子枪预热：设置高电压为25～35kW，预热5～10min后关闭高电压；设置电子枪束流为70～200mA，预热5～10min后关闭电子枪束流；（4）电子束熔炼：同时打开电子枪的高电压和束流，用电子枪轰击硅料，增大电子枪束流至200～1200mA，直到硅料全部熔化后，继续轰击5～15min；（5）冷却后取料：关闭电子枪，待硅料经过10～60min冷却后关闭真空泵组，打开放气阀，取出硅料，取出的硅料中氧含量为0.0571ppmw以下。
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