[发明专利]高效薄膜太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201310598206.4 申请日: 2013-11-22
公开(公告)号: CN103606626A 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 肖淑敏;宋清海;孙上 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 张立娟
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种高效薄膜太阳能电池,太阳能电池的主体结构是由超材料组成,超材料结构由三层结构组成,其中上层和下层是金属光栅结构,金属光栅的光栅之间为介质,中间层是介质结构,其中上层的金属和下层的金属相互对准,上层的介质和下层的介质相互对准,中间层为半导体异质结,金属光栅的所有金属条的末端通过金属条连接起来,半导体异质结的厚度H范围在50-70纳米之间,金属光栅的金属条宽度Wd范围在55至65纳米之间,光栅周期p范围在140至160纳米之间,金属光栅的金属条厚度L的范围在55至65纳米之间。本发明节省了一半的金属成分,并且很大的减轻了器件的重量,在实际应用和施工过程中带来了很大的轻便。
搜索关键词: 高效 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种高效薄膜太阳能电池,其特征在于:太阳能电池的主体结构是由超材料组成,超材料结构由三层结构组成,其中上层(1)和下层(3)是金属光栅结构,金属光栅的光栅之间为介质,中间层(2)是介质结构,其中上层(1)的金属和下层(3)的金属相互对准,上层(1)的介质和下层(3)的介质相互对准,中间层(2)为半导体异质结,金属光栅的所有金属条的末端通过金属条连接起来,半导体异质结的厚度H为50‑70纳米,金属光栅的金属条宽度Wd为55至65纳米,金属光栅周期p为140至160纳米,金属光栅的金属条厚度L为55至65纳米。
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