[发明专利]一种栅控碳纳米管/碳纤维场发射阵列阴极及其制作方法

摘要

本发明公开了一种栅控碳纳米管/碳纤维场发射阵列阴极及其制作方法，属于真空微电子领域，包括一块导电基板，基板上沉积有绝缘层，绝缘层上具有一层金属导电层，层面上，穿过绝缘层形成阵列圆孔型控制栅，在圆孔中心基板面上催化剂所处的位置点上生长出直立的碳纳米管/碳纤维，一直到达金属导电层上控制栅中心高度；其制作方法，按六个流程步骤顺序进行，该方法能生长出高宽比大、细高形状的碳纳米管，所构成的场发射阴极发射稳定，由于碳纳米管的化学稳定性比金属好，受工作环境影响小，同时域值电压低，而且碳纳米管的制造工艺和设备都比较简单，故生产成本可大幅度下降。

主权项

一种栅控碳纳米管/碳纤维场发射阵列阴极，其特征在于：包括一块作为阴极的导电基板，基板上沉积有绝缘层，在所述绝缘层上具有一层金属导电层，层面上，穿过绝缘层形成阵列圆孔型控制栅，其特征在于，在圆孔中心催化剂所处的位置点上生长出直立的碳纳米管，其生长高度可一直到达金属导电层上控制栅中心的位置。