[发明专利]一种W包覆TiC纳米级复合粉体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310602775.1 申请日: 2013-11-22
公开(公告)号: CN103567438A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 罗来马;谭晓月;吴玉程;陈鸿谕;昝祥;朱晓勇 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: B22F1/02 分类号: B22F1/02;B22F9/22;B82Y40/00
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 乔恒婷
地址: 230009 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种W包覆TiC纳米级复合粉体的制备方法,包括前驱体的制备和还原反应各单元过程:所述前驱体的制备是将TiC粉末加入草酸溶液中超声分散20-30min,然后加入仲钨酸铵,于155-185℃恒温搅拌反应90-240min,干燥后得到W/TiC前驱体;所述还原反应是将W/TiC前驱体置于管式烧结炉中,在氢气气氛中烧结后得到W包覆TiC复合粉体。本发明方法使TiC呈现被W包覆的状态弥散分布在W基体中,解决TiC颗粒在W表面聚集和在晶界造成的应力集中问题。制备出的纳米级W/TiC复合粉体,在烧结时可以低温致密化;且TiC的弥散分布可以强化W基体,满足高温下的使用。
搜索关键词: 一种 tic 纳米 复合 制备 方法
【主权项】:
一种W包覆TiC纳米级复合粉体的制备方法,包括前驱体的制备和还原反应各单元过程,其特征在于:所述前驱体的制备是将TiC粉末加入草酸溶液中超声分散20‑30min,使其弥散分布,草酸溶液的浓度为84‑134g/L,TiC粉的添加量为0.833g/L;然后加入仲钨酸铵,仲钨酸铵的添加量为56‑114.3g/L,于155‑185℃恒温搅拌反应90‑240min,干燥后得到W/TiC前驱体;所述还原反应是将W/TiC前驱体置于管式烧结炉中,在氢气气氛中烧结后得到W包覆TiC复合粉体。
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