[发明专利]一种N型硅太阳能电池的双面扩散工艺

摘要

本发明公开了一种N型硅太阳能电池的双面扩散工艺，包括以下步骤：1）背光面硼吸杂；2）硼硅玻璃去除；3）硅片受光面硼扩散形成发射极。采用本发明提供的N型硅太阳能电池的双面扩散工艺简单易行，且可改善N型硅太阳能电池的电性能。

主权项

一种N型硅太阳能电池的双面扩散工艺，其特征在于：包括以下步骤：1）将两片硅片的受光面紧贴一起放入石英舟的卡槽中，再把装载硅片的石英舟推进扩散炉管中，控制温度在980‑1030℃，时间20‑60min，再控制温度在800‑850℃，时间90‑120min；同时通入硼源，进行重掺杂硼工序；2)把扩散后的硅片从扩散炉管中退出并将硅片卸入花篮中，用浓度为10‑15%的氢氟酸进行清洗10‑15min；3)将清洗后的两片硅片的背光面紧贴一起放入石英舟的卡槽中，再把装载硅片的石英舟推进扩散炉管中，通入硼源，采用轻掺杂硼的扩散工艺制作发射极。