[发明专利]半导体器件和SRAM器件

摘要

本公开提供了半导体器件和SRAM器件。包括第一晶体管和第二晶体管的半导体器件集成在基板上。第一和第二晶体管的每个包括纳米尺寸有源区域，该纳米尺寸有源区域包括提供在纳米尺寸有源区域的各端部中的源极区域和漏极区域以及提供在源极区域和漏极区域之间的沟道形成区域。第一晶体管的源极区域和漏极区域具有与第二晶体管的源极区域和漏极区域相同的导电类型，第二晶体管具有比第一晶体管低的阈值电压。第二晶体管的沟道形成区域可以包括同质掺杂区域，该同质掺杂区域的导电类型与第二晶体管的源极区域和漏极区域的导电类型相同，且与第一晶体管的沟道形成区域的导电类型不同。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一晶体管和第二晶体管，集成在基板上，所述第一和第二晶体管的每个包括纳米尺寸有源区域，该纳米尺寸有源区域包括在该纳米尺寸有源区域的各端部中的源极区域和漏极区域以及在所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道形成区域，其中所述第一晶体管的源极区域和漏极区域具有与所述第二晶体管的源极区域和漏极区域相同的导电类型，所述第二晶体管具有比所述第一晶体管低的阈值电压，并且所述第二晶体管的沟道形成区域包括与所述第二晶体管的源极区域相邻的第一同质掺杂区域、与所述第二晶体管的漏极区域相邻的第二同质掺杂区域、以及将所述第一同质掺杂区域与所述第二同质掺杂区域连接的异质掺杂区域，其中所述第一和第二同质掺杂区域具有与所述第二晶体管的源极区域和漏极区域相同的导电类型，并且所述异质掺杂区域具有与所述第二晶体管的源极区域和漏极区域不同的导电类型。