[发明专利]DEMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种DEMOS器件，在漏区和所述衬底引出区之间设置有一个浅沟槽场氧，浅沟槽场氧横向跨越了漂移区和衬底引出阱区的接触面；在浅沟槽场氧底部设置和浅沟槽场氧底部相隔一段距离的悬浮漂移区，悬浮漂移区能够增加对漂移区和衬底引起阱区之间的PN结的耗尽，从而能够优化漂移区和衬底引起阱区之间的PN结电场分布，提高器件的击穿电压。本发明还公开了一种DEMOS器件的制造方法。

主权项

一种DEMOS器件，其特征在于，包括：硅衬底，在所述硅衬底中形成有第一导电类型阱和第二导电类型阱，在所述硅衬底表面形成有浅沟槽场氧，由所述浅沟槽场氧隔离出有源区，所述浅沟槽场氧由填充于浅沟槽中的氧化硅组成；沟道区，由一个所述第二导电类型阱组成；漂移区，由一个所述第一导电类型阱组成，所述漂移区的第一侧和所述沟道区横向接触；栅极结构，由依次形成于所述硅衬底表面的栅介质层和多晶硅栅组成；所述栅极结构覆盖部分所述沟道区表面并延伸到所述漂移区上方，被所述栅极结构所覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；源区，由形成于所述沟道区表面的第一导电类型重掺杂区组成，所述源区和所述栅极结构的第一侧自对准；漏区，由形成于所述漂移区表面的第一导电类型重掺杂区组成，所述漏区和所述栅极结构的第二侧相隔一段距离；所述漂移区的第二侧和一个第二导电类型阱相接触，令该第二导电类型阱为衬底引出阱区，在所述衬底引出阱区表面形成有由第二导电类型重掺杂区组成衬底引出区，通过所述衬底引出区和所述衬底引出阱区实现衬底电极的引出；在所述漏区和所述衬底引出区之间设置有一个所述浅沟槽场氧，令该浅沟槽场氧为第一浅沟槽场氧，所述第一浅沟槽场氧横向跨越了所述漂移区和所述衬底引出阱区的接触面；第一导电类型掺杂的悬浮漂移区，形成于所述第一浅沟槽场氧的底部，所述悬浮漂移区由所述浅沟槽形成后、在所述浅沟槽中填充氧化硅之前通过第一导电类型离子注入形成；在横向上，所述悬浮漂移区从所述漂移区中延伸到所述衬底引出阱区中；在纵向上，所述悬浮漂移区和所述第一浅沟槽场氧底部相隔一段距离、且所述悬浮漂移区的底部深度小于等于所述漂移区或所述衬底引出阱区的底部深度。