[发明专利]磷掺杂硅片、其制作方法、太阳能电池片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种磷掺杂硅片、其制作方法、太阳能电池片及其制作方法。磷掺杂硅片的制作方法包括升温待掺杂硅片、前净化、磷沉积扩散以及降温的步骤，磷沉积扩散步骤采用POCl3作为磷源使其与O2反应分步沉积扩散，在分步沉积扩散步骤中POCl3与O2的体积比呈递减的方式进行。采用分步沉积扩散工艺在开始阶段扩散速度较快，随着硅片表面的磷向硅片衬底内部扩散，硅片表面磷浓度逐步降低，后续随着磷源浓度的降低沉积到硅片衬底表面的磷数量减少，在硅片衬底表面及内部的磷浓度分布相对于目前沉积扩散过程中不断有较大浓度的磷源POCl3补充的情况其杂质浓度梯度大，获得了更好的电学参数，提高了太阳能电池的转换效率。

主权项

一种硅片的磷掺杂方法，其特征在于，包括升温待掺杂硅片、前净化、磷沉积扩散以及降温的步骤，其中所述磷沉积扩散步骤采用POCl3作为磷源使其与O2反应进行分步沉积扩散，在所述分步沉积扩散的步骤中所述POCl3与所述O2的体积比呈递减的方式进行。