[发明专利]具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法有效
| 申请号： | 201310613247.6 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103871893A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡劲;K·K·陈;R·H·德纳尔德;B·B·多里斯;B·P·林德尔;R·穆拉丽达;G·G·沙希迪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 逆行 体鳍片 fet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用体衬底形成鳍片晶体管的方法，包括： 在体衬底中或上形成超陡逆行阱（SSRW），所述阱包括第一导电类型掺杂剂的掺杂部分并且在所述体衬底中在未掺杂层之下形成，所述SSRW在对应于鳍片结构的位置之下形成； 在所述未掺杂层之上生长鳍片材料； 从所述鳍片材料形成所述鳍片结构； 在所述鳍片结构之上形成栅极结构；以及 形成邻近所述鳍片结构的源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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