[发明专利]一种高速恒流自动清零的CMOS比较器在审
| 申请号： | 201310613634.X | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103618526A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州贝克微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/24 | 分类号： | H03K5/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高速恒流自动清零的CMOS比较器，一个电压比较电路的恒定电流放大级包括两对CMOS晶体管。第一对CMOS晶体管有一个共同的栅极和一个共同的漏极，第二对CMOS晶体管作为第一对CMOS晶体管的负载。第二对CMOS晶体管有一个共同的栅极和一个共同的漏极，且两者都连接到第一对CMOS晶体管的漏极。晶体管这样分配，以便在零电压下通过第一对晶体管的电流至少是通过第二对晶体管的电流的两倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 自动 清零 cmos 比较 | ||
【主权项】：
一种高速恒流自动清零的CMOS比较器，其特征是：一个电压比较电路包括增益部分，包括有一个共同的栅极输入端和一个共同的漏极输出端的第一对CMOS晶体管，包括第二对CMOS晶体管，并且它的一个共同的栅极和一个共同的漏极相互连接作为负载，连接到上述第一对CMOS晶体管的漏极输出端。其中，第一对CMOS晶体管和第二对CMOS晶体管在相同电源端间可连接，使得在零电压输入下，通过第一对CMOS晶体管的电流至少是通过第二对CMOS晶体管的电流的两倍，第一对CMOS晶体管的输出端和第二对CMOS晶体管的栅极和漏极连接在一起。
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