[发明专利]背照式CMOS影像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310613804.4 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103594479A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 费孝爱;高喜峰 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法。包括：半导体基底，形成于所述半导体基底中的光电二极管及隔离结构；遮光金属层，所述遮光金属层靠近所述半导体基底的背面；引线，所述引线与所述遮光金属层电相连，所述引线位于所述半导体基底中靠近所述遮光金属层的一侧。本发明中，将半导体基底中的引线设置于半导体基底的背面，从而当光线照射后，设置于背面的引线不会影响光的吸收面积，那么在关键尺寸的不断缩小的情况下，能够有效的增加光的吸收，从而有效的提高了传感器的有效使用面积；此外，原引线占据的面积可用于外部电路的其他设计，从而对于传感器的制造能够提供能多的便利。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 影像 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于，包括：半导体基底，形成于所述半导体基底中的光电二极管及隔离结构；遮光金属层，所述遮光金属层靠近所述半导体基底的背面；引线，所述引线与所述遮光金属层电相连，所述引线位于所述半导体基底中靠近所述遮光金属层的一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
