[发明专利]半导体光接收装置有效
申请号: | 201310614577.7 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN103985768B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 增山祐士;中路雅晴;久义浩 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及半导体光接收装置。提供了一种能减少对头部上表面的引线接合数的半导体光接收装置。半导体光接收装置(10)具备头部(20)、高频放大器(AMP)以及次黏着基台(SB)。高频放大器(AMP)设置在头部(20)上,并具有上表面,在该上表面具备高频接地焊盘(62)。在次黏着基台(SB)的上表面设置有比次黏着基台的上表面小的半导体光接收元件(APD)。次黏着基台(SB)的上表面具有接合半导体光接收元件(APD)的电极焊盘(67)和设置在其旁边的电极焊盘(66)。高频接地焊盘(62)与电极焊盘(66)通过引线(53)而被连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 接收 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体光接收装置,其特征在于,具备:头部;高频放大器,设置在所述头部上,并且具有上表面,在该上表面具备高频接地焊盘;次黏着基台,设置在所述头部上,并且具有上表面;以及半导体光接收元件,设置在所述次黏着基台的上表面,所述半导体光接收元件比所述次黏着基台的上表面小,所述次黏着基台的上表面具有接合所述半导体光接收元件的第一电极焊盘和设置在所述第一电极焊盘的旁边的第二电极焊盘,所述高频接地焊盘与所述第二电极焊盘通过引线而被连接,所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘与所述次黏着基台的上表面相接,所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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