[发明专利]栅极侧墙图形化的方法

摘要

本发明公开了一种栅极侧墙图形化的方法，包括如下步骤提供一具有栅极以及覆盖该栅极侧壁的第一侧墙的半导体结构；制备多晶碳层覆盖所述半导体结构的表面；部分去除所述多晶碳层，以于所述第一侧墙的表面上形成所述栅极的第二侧墙；继续对所述半导体结构进行源漏注入工艺后，去除所述第二侧墙；继续源漏的退火工艺。采用本发明的栅侧墙图形化的方法，通过含氧的等离子体处理即可很干净地去除作为主侧墙的多晶碳侧墙，而无需采用需在特定的刻蚀腔才能进行的SPT工艺，既可以解决高应力的通孔刻蚀停止层工艺中的空洞问题，从而简化了工艺流程，降低了生产成本。

主权项

一种栅极侧墙图形化的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，提供一具有栅极以及覆盖该栅极侧壁的第一侧墙的半导体结构，所述半导体结构还具有浅沟槽隔离，所述栅极包括多晶硅栅和栅氧化层；S2，制备多晶碳层覆盖所述半导体结构的表面，所述多晶碳层覆盖所述栅极的顶壁、所述第一侧墙的表面、浅沟槽隔离的表面以及所述半导体结构暴露的表面；S3，部分去除所述多晶碳层，以于所述第一侧墙的表面上形成所述栅极的第二侧墙；所述步骤S3细化为：S301，部分去除所述多晶碳层，以于所述第一侧墙的表面上形成所述栅极的第二侧墙，所述第二侧墙为多晶碳侧墙；S302，继续对所述半导体结构进行湿法清洗；S4，继续对所述半导体结构进行源漏注入工艺后，去除所述第二侧墙；S5，继续源漏的退火工艺。