[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201310616492.2 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104681439B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 于书坤;韦庆松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在PMOS器件的沟道区域的两侧形成包括镓化硅、镓砷掺杂的硅、镓掺杂的锗硅或砷镓掺杂的锗硅中至少一种的嵌入式压应力层，可以在为PMOS器件提供足够的压应力的同时最大程度地减小扩展电阻和接触电阻，提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件，PMOS器件的沟道两侧具有包括镓化硅、镓砷掺杂的硅、镓掺杂的锗硅或砷镓掺杂的锗硅中至少一种的嵌入式压应力层，可以在为PMOS器件提供足够压应力的同时最大程度地减小扩展电阻和接触电阻，相对于现有的半导体器件，具有更好的性能。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括半导体衬底以及位于其上的PMOS器件的伪栅极和栅极间隙壁的前端器件；步骤S102：在所述半导体衬底位于所述PMOS器件的栅极间隙壁两侧的部分之中形成沟槽；步骤S103：形成至少一部分位于所述沟槽内的嵌入式压应力层，其中，所述嵌入式压应力层包括镓化硅、镓砷掺杂的硅、砷镓掺杂的锗硅中的至少一种，以在提高压应力的同时降低扩展电阻和接触电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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