[发明专利]一种双电离的离子源无效
| 申请号： | 201310617392.1 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103594326A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 唐紫超;史磊;李刚;王兴龙;吴小虎;张世宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01J49/10 | 分类号： | H01J49/10;H01J49/14;H01J49/16 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种双电离的离子源，该离子源由电子轰击电离（EI源）和真空紫外灯电离（PI源）两种电离方式组成，其结构包括进样管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、推斥板和接地栅板。本发明拓宽了单一离子源分析多形态样品时的适用性，同时提高了碎片离子的质量选择，可有效的分析离子组成和样品结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电离 离子源 | ||
【主权项】：
一种双电离的离子源，其特征在于：该离子源由样品管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板、推斥板组成；该离子源是以样品管为起点，依次为推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板及推斥板；其中，灯丝位于电离室的一侧，紫外灯位于电离室的上方。
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